مشخصات |
|
| ابعاد | 6.8 × 69.85 × 100 میلی متر |
| پشتیبانی از TRIM | √ |
| رابط | Sata |
| سازنده | سامسونگ |
| سایر مشخصات | میزان مقاومت شوک : 1,500G & 0.5ms دمای عملیاتی : 0 تا 70 درجه سانتیگراد مصرف برق : میانگین 2.2 وات و حداکثر 3.5 وات |
| سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی | UP TO 98,000 IOPS |
| سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی | UP TO 88,000 IOPS |
| مدل | EVO 870 |
| مقاوم در برابر شوک | √ |
| مقاوم در برابر ضربه | √ |
| مقاوم در برابر لرزش | √ |
| میانگین طول عمر (MTBF) | 1.500.000 ساعت |
| نوع حافظه فلش | Samsung V-NAND 3bit MLC |
| نوع کنترل کننده (Controller) | Samsung MKX |
| وزن | 45 گرم |
| هیت سینک خنک کننده | × |










دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.